Technické problémy, ktorým čelia LED čipy
Hlavné technické problémy, ktorým čelia LED čipy, najmä vysoko výkonné LED čipy, sú nasledovné:
Nízka účinnosť luminiscencie
Aj keď svetelná účinnosť balených bielych LED diód vyrobených rôznymi výrobcami dosiahla viac ako 100 lm / w, v porovnaní s malými LED čipmi, svetelná účinnosť balených bielych LED diód je stále veľmi nízka. Vzhľadom k veľkej veľkosti LED čipov, keď svetlo prechádza vnútri zariadenia, svetlo putuje dlhšie ako svetlo malých čipov, čo vedie k vyššej pravdepodobnosti absorpcie materiálu zariadenia na svetlo a veľké množstvo svetla je obmedzené k zariadeniu a nemôže emitovať, čo má za následok nižšiu účinnosť svetelného výkonu.
Nehomogénna prúdová difúzia
Pre vysoko výkonné LED čipy je potrebný veľký prúdový pohon (všeobecne 350 mA). Aby sa dosiahla rovnomerná prúdová difúzia, mala by byť navrhnutá primeraná elektródová štruktúra tak, aby mohol byť prúd rovnomerne rozložený v P-vrstve. Kvôli veľkej veľkosti čipu je ťažké pre vysoko výkonné LED čipy dosiahnuť rovnomernú prúdovú difúziu v P-vrstve, čo vedie k akumulácii prúdu pod elektródou. Súčasný efekt preťaženia. Vzhľadom na prúdový akumulačný efekt, tj prúd sa koncentruje hlavne v oblasti priamo pod elektródou, je bočná expanzia relatívne malá a distribúcia prúdu je veľmi nerovnomerná, čo vedie k príliš vysokej lokálnej prúdovej hustote.
Fotoelektrická charakteristika Nestabilita
Vzhľadom na nízku účinnosť vyžarovania LED čipov s vysokým výkonom, vnútorné zariadenia absorbujú veľké množstvo svetla. Toto absorbované svetlo sa v interných zariadeniach premieňa na tepelnú energiu, čo má za následok zvýšenie teploty spojov LED čipov. Zvýšenie teploty križovatky spôsobí nielen rozpad svetla, ale aj vážne ovplyvní životnosť LED čipov. Zvýšenie teploty zároveň spôsobí, že sa vrchol modrej vlny čipu posunie na dlhú vlnovú dĺžku (tj červený posun). Spôsobí to nesúlad medzi svetelnou vlnovou dĺžkou čipu a excitačnou vlnovou dĺžkou fosforu a tiež zníži podanie farieb.
Svetelná efektívnosť industrializačného výskumu je oveľa nižšia ako účinnosť laboratórneho výskumu a vývoja.
V súčasnosti dosahujú výrobcovia LD čipov na svete vysokú úroveň laboratórneho výskumu a vývoja, avšak úroveň industrializačného výskumu je stále nízka. Hlavným dôvodom je, že industrializácia nielen berie do úvahy dopyt po nákladoch, ale berie do úvahy aj zložitosť výrobného procesu a výnos čipov.
